研究团队的技术关键在于他们深刻理解基座对石墨烯生长动力学的重大影响。他们在预处理过的铜基底上使用低压化学气相沉积(LPCVD)，并在特定的高温下分解甲烷，从而产生均匀的碳层(石墨烯)。

参与这项研究的博士后研究员刘伟说，“铜基底上不完善的位置会显著影响石墨烯的生长。通过正确处理铜表面和精确选择生长参数，我们可以在控制石墨烯层数的同时优化石墨烯的质量和均匀性。”

李红研究员说:“新方法制造的石墨烯获得了化学气相沉积制造的石墨烯所具有的最大载流子迁移率:平均值为4000 cm2/v·s，最大值为5500 cm2/v·s..与硅相比，要高得多。”

纳吉布说:“毫无疑问，石墨烯是一种非常优秀的材料，有着广泛的应用。然而，我们仍然面临着如何获得高质量的石墨烯以及如何为特殊用途定制其性能的巨大挑战。然而，这些挑战也是我们未来研究的沃土。  

据美国物理学家网10月17日报道，美国科学家称，他们开发出了一种人工合成高质量石墨烯的技术。新方法不仅可控，而且可扩展，有望为下一代电子设备的开发铺平道路。相关研究将发表在今年第11期《碳》杂志上。

石墨烯是从石墨中分离出来的二维晶体，由碳原子组成。只有一层碳原子的厚度。是迄今为止最薄最硬的材料，导电导热性能优越，远超硅等传统半导体材料。科学家认为，石墨烯有望彻底改变材料科学领域。未来可能取代硅成为电子元器件材料，广泛应用于超级计算机、柔性触摸屏、环保和医疗设备、光子传感器、有机太阳能电池等诸多领域。然而，为了使石墨烯更好地应用于电子工业，需要找到一种可控的、有效的方法，在更大范围内获得更高质量的石墨烯。

加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)电子和计算机工程系教授Costafu Barnaji领导的研究小组开发的最新合成技术可以提供高质量和均匀的石墨烯。这个过程不仅可以扩展，还可以控制石墨烯的层数——单层还是双层，这对于石墨烯在电子等技术领域发挥作用非常重要。